PBSS4160DS,115 دیتاشیت

PBSS4160DSH

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PBSS4160DSH
حجم فایل 51.873 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 15

مشاهده دیتاشیت PBSS4160DSH

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Nexperia PBSS4160DS,115
  • Transistor Type: 2 NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 1A
  • Power Dissipation (Pd): 420mW
  • Transition Frequency (fT): 220MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 200@500mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 60V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 200mV@1A,100mA
  • Package: SOT-23-6
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه